DDR3 Module is the abbreviation of Dynamic Random Access Memory . is the most common system memory.It can read and write at any time, and very fast. usually as an operating system or other running programs temporary data storage medium.
| 零件號 | 密度 | 組織. | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 零件號 IMSH1GU03A1F1C-10F | 密度 | 組織 128M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Qimonda | 詢價 |
| 零件號 MT8JTF12864AY-1G1D1 | 密度 | 組織 128M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 EBJ10UE8BDS0-AE-F | 密度 | 組織 128M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 FBGA | 工廠 Elpida | 詢價 |
| 零件號 M378B2873FHS-CF8 | 密度 1G | 組織 128M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 HMT112U6AFP8C-G7N0 | 密度 | 組織 128M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT325U6BFR8C-G7N0 | 密度 2G | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT125U6AFP8C-G7N0 | 密度 | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT125U6AFP8C-G7N0-C | 密度 | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 645350HMT125U6AFP8C-G7N0 | 密度 | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 KVR1066D3N7/2G | 密度 | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Kingston | 詢價 |
| 零件號 KVR1066D3N7K2/2G | 密度 | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Kingston | 詢價 |
| 零件號 M378B5673EH1-CF8 | 密度 2G | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M378B5673DZ1-CG8 | 密度 2G | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M378B5673DZ1-CF8 | 密度 2G | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M378B5773CH0-CF8 | 密度 2G | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 KVR1066D3N9/2G | 密度 | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Kingston | 詢價 |
| 零件號 MT16JTF25664AY-1G1D1 | 密度 | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 HMT125U6AFR8C-G7 | 密度 | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 MT16JTF25664AZ-1G1 | 密度 | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 TS256MLK64V1U | 密度 | 組織 256M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Transcend | 詢價 |
