DDR4 Module is the abbreviation of Dynamic Random Access Memory . is the most common system memory.It can read and write at any time, and very fast. usually as an operating system or other running programs temporary data storage medium.
| 零件號 | 密度 | 組織. | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 零件號 HMA41GU6AFR8N-TFN0 | 密度 8G | 組織 1G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 BGA | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 M378A1G43DB0-CPB | 密度 8G | 組織 1G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M378A1G43EB1-CPB | 密度 8G | 組織 1G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M378A1G43EB0-CPB | 密度 8G | 組織 1G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M378A1G43BB0-CPB | 密度 8G | 組織 1G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M378A1G40DB0-CPB | 密度 8G | 組織 1G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 HMA82GU6AFR8N-TF | 密度 16G | 組織 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMA82GU6AFR8N-UHNA | 密度 16G | 組織 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMA82GU6AFR8N-UHN0 | 密度 16G | 組織 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 BGA | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMA82GU6MFR8N-UHM | 密度 16G | 組織 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 M378A2K43BB1-CPB | 密度 16G | 組織 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 UDIMM | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 HMA82GU6MFR8N-TFN0 | 密度 16G | 組織 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HX421C14FBK2/32 | 密度 32G | 組織 4G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Kingston | 詢價 |
| 零件號 HX421C14FW2K2/16 | 密度 16G | 組織 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Kingston | 詢價 |
| 零件號 KHX21C11T2K2/16X | 密度 16G | 組織 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Kingston | 詢價 |
| 零件號 MTA16ATF2G64AZ-2G1B1 | 密度 16G | 組織 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 MTA16ATF2G64AZ-2G3A1 | 密度 16G | 組織 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 MTA16ATF2G64AZ-2G1A1 | 密度 16G | 組織 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 752367-081 | 密度 4G | 組織 1G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 HP | 詢價 |
| 零件號 M386A2G40DB0-CPB | 密度 16G | 組織 2G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
