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DRAM

DRAM

Dynamic random-access memory (DRAM) is a type of random access semiconductor memory that stores each bit of data in a memory cell consisting of a tiny capacitor and a transistor, both typically based on metal-oxide-semiconductor (MOS) technology.DRAM typically takes the form of an integrated circuit chip, which can consist of dozens to billions of DRAM memory cells. DRAM chips are widely used in digital electronics where low-cost and high-capacity computer memory is required. One of the largest applications for DRAM is the main memory in modern computers and graphics cards.

DRAM 產品列表

類別
廠商
密度
組織
速度
刷新
包裝
型號 密度 組織. 速度 刷新 包裝 廠商 操作
型號 H9CCNNN8JTALAR 密度 8Gb 組織 x32 速度 T/U 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9CCNNN4GTMLAR 密度 4Gb 組織 x32 速度 K/T 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9CCNNN8KTALBR 密度 8Gb 組織 x32 速度 U 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9CKNNN8GTMPLR 密度 8Gb 組織 x32 速度 T/U 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9CCNNNBPTALBR 密度 16Gb 組織 x32 速度 U 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9CCNNNBLTALAR 密度 16Gb 組織 x32 速度 T/U 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9CKNNNBJTMPLR 密度 16Gb 組織 x32 速度 U 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9CKNNNBKTMRPR 密度 16Gb 組織 x32 速度 U 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9CKNNNBKTMTDR 密度 16Gb 組織 x32 速度 T/U 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9CKNNNDATMRPR 密度 24Gb 組織 x32 速度 U 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9CKNNNDATMTDR 密度 24Gb 組織 x32 速度 U 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9HCNNN8KUMLHR 密度 8Gb 組織 x16 速度 L/M 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9HCNNNAHUMLHR 密度 12Gb 組織 x16 速度 L/M 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9HCNNNBPUMLHR 密度 16Gb 組織 x16 速度 L 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9HKNNNBTUMUAR 密度 16Gb 組織 x16 速度 L 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9HCNNNBUUMLHR 密度 16Gb 組織 x16 速度 L 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9HKNNNDGUMUAR 密度 24Gb 組織 x16 速度 L 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9HKNNNBTUMUBR 密度 16Gb 組織 x16 速度 L 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9HKNNNDGUMUBR 密度 24Gb 組織 x16 速度 L/M 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價
型號 H9HKNNNCTUMUAR 密度 32Gb 組織 x16 速度 L 刷新 包裝 FBGA 廠商 Hynix 詢價

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