DDR3 Module is the abbreviation of Dynamic Random Access Memory . is the most common system memory.It can read and write at any time, and very fast. usually as an operating system or other running programs temporary data storage medium.
| 零件號 | 密度 | 組織. | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 零件號 KVR16LN11/4 | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 MEMORY MODULE 4GB DDR3 | 工廠 Kingston | 詢價 |
| 零件號 HMT451U6AFR8C-RDN0 | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 6655854GB256Mx168C | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 HX316C10F/4 | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Kingston | 詢價 |
| 零件號 M378B5173DH0-CK0 | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M378B5173DM0-CK0 | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M378B5173DB0-CK0 | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 HMT351U6BFR8C-PBN0 | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 EBJ40UG8EFUO-GN-F | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Elpida | 詢價 |
| 零件號 6698054GB256Mx816C | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 6824254GB256Mx816C | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 6631104GB512Mx88C | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Elpida | 詢價 |
| 零件號 6615484GB256Mx816C | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 6571684GB256Mx816C | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Elpida | 詢價 |
| 零件號 AE34G1609U2 | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 AMD | 詢價 |
| 零件號 HMT351U6EFR8A-PBN0 | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT351U6MFR8C-PBN0 | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT351U6EFR8C-PBN0 | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT451U6AFR8A-PBN0 | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT451U6AFR8C-PBN0 | 密度 4G | 組織 512M×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
