NOR flash memory is one of two types of nonvolatile storage technologies. Nonvolatile memory does not require power to retain data.NOR and NAND use different logic gates -- the fundamental building block of digital circuits -- in each memory cell to map data.
零件號 | 密度 | 組織. | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 | 操作 |
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零件號 S29GL512P10FFSS72 | 密度 512M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 BGA | 工廠 spansion | 詢價 |
零件號 S29GL512P12FFIV13 | 密度 512M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 BGA | 工廠 spansion | 詢價 |
零件號 S29GL512P11TFI013 | 密度 512M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工廠 spansion | 詢價 |
零件號 RD48F4400P0VQ0 | 密度 512M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Intel | 詢價 |
零件號 PF48F4040LVYQ0 | 密度 512M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Intel | 詢價 |
零件號 S29AL016D70TF1020 | 密度 16M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工廠 spansion | 詢價 |
零件號 PF38F4470LLYH0 | 密度 512M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Intel | 詢價 |
零件號 PF38F5060M0YB0 | 密度 512M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Intel | 詢價 |
零件號 PF48F4400L0YBP0B | 密度 512M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 BGA | 工廠 Numonyx | 詢價 |
零件號 PF48F4400P0VBQEK | 密度 512M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
零件號 RD48F4400L0YQ0 | 密度 512M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Intel | 詢價 |
零件號 PF48F4400E0YQ0 | 密度 512M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Intel | 詢價 |
零件號 TE48F4400P0V00 | 密度 512M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工廠 Intel | 詢價 |
零件號 TE48F4400P0T00 | 密度 512M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工廠 Intel | 詢價 |
零件號 PF58F0016LVYB0 | 密度 8M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Intel | 詢價 |
零件號 PC28F00AM29EWHB | 密度 1G | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 BGA64 | 工廠 Micron | 詢價 |
零件號 PF38F5570MMYB0 | 密度 1G | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Intel | 詢價 |
零件號 PF38F5566MMYC0 | 密度 1G | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Intel | 詢價 |
零件號 PC28F00BM29EWHB | 密度 2G | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
零件號 S29GL016A90TFIR10 | 密度 16G | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工廠 spansion | 詢價 |