NOR flash memory is one of two types of nonvolatile storage technologies. Nonvolatile memory does not require power to retain data.NOR and NAND use different logic gates -- the fundamental building block of digital circuits -- in each memory cell to map data.
| 零件號 | 密度 | 組織. | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 零件號 M25P16-VMF3TPB | 密度 16M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 M25P16-VMF6TPBA | 密度 16M | 組織 2M×8 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 M29W160EB70N3F | 密度 16M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP-48 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 M25P40-VMP6TPB | 密度 4M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 QFN | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 M25P40-VMP6TGBX0 | 密度 4M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 M25P40-VMP6TGBO2 | 密度 4M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 M25P40-VMP6TGBM3 | 密度 4M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 M25P40-VMP6TP | 密度 4M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 MLP8 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 M25PX32-VMP6FBA | 密度 32M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 QFN8 | 工廠 Numonyx | 詢價 |
| 零件號 M25PX32-VZM6F | 密度 32M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 24-TBGA | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 AM29F010B90EC | 密度 1M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工廠 AMD | 詢價 |
| 零件號 M29F200FB55N3F2 | 密度 | 組織 128K×16 | 速度 | 刷新 | 包裹 SOIC44 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 IS25LQ040B-JULE-TR | 密度 4M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 issi | 詢價 |
| 零件號 MT28F200B5WG-6T | 密度 2M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 MT28F200B5SG-6B | 密度 2M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 SOP44 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 MT28F200B5WG-6B | 密度 2M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 MT28F002B5VG-8B | 密度 2M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 MT28F200B5WG-6BS | 密度 2M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 E28F200BX-B60 | 密度 2M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSSOP | 工廠 Intel | 詢價 |
| 零件號 676225M29W400DB-70N6F | 密度 4M | 組織 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
