DDR3 Module is the abbreviation of Dynamic Random Access Memory . is the most common system memory.It can read and write at any time, and very fast. usually as an operating system or other running programs temporary data storage medium.
| 零件號 | 密度 | 組織. | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 零件號 HX318C10FB/8 | 密度 8G | 組織 1G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Kingston | 詢價 |
| 零件號 HX318C10F/8 | 密度 8G | 組織 1G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Kingston | 詢價 |
| 零件號 HMT84GR7AMR4A-G7D8 | 密度 32G | 組織 4G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT42GL7BMR4A-G7D7 | 密度 16G | 組織 2G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 M386B4G70BM0-YH9 | 密度 32G | 組織 4G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 MT72KSZS4G72LZ-1G4E2 | 密度 32G | 組織 4G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 KVR13LR9D4/8HC | 密度 8G | 組織 1G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Kingston | 詢價 |
| 零件號 HMT42GL7BMR4C-H9 | 密度 16G | 組織 2G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT42GL7BMR4C-H9D2 | 密度 16G | 組織 2G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT42GL7BMR4A-H9D2 | 密度 16G | 組織 2G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 M386B2K70DM0-CH9 | 密度 16G | 組織 2G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 HMT42GL7CMR4A-H9M1 | 密度 16G | 組織 2G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT42GL7BMR4A-H9D7 | 密度 16G | 組織 2G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT42GL7BMR4A-H9M1 | 密度 16G | 組織 2G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 M386B4G70BM0-CMA | 密度 32G | 組織 4G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M386B4G70DM0-YH9 | 密度 32G | 組織 4G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 660620M386B4G70BM0-YH9 | 密度 32G | 組織 4G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 HMTA8GL7MHR4A-H9 | 密度 64G | 組織 8G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 M386B8G70DE0-YH9 | 密度 64G | 組織 8G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M386B4G70BM0-YK0 | 密度 32G | 組織 4G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
