DDR3 Module is the abbreviation of Dynamic Random Access Memory . is the most common system memory.It can read and write at any time, and very fast. usually as an operating system or other running programs temporary data storage medium.
| 零件號 | 密度 | 組織. | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 零件號 CT102472BD160B | 密度 8GB | 組織 1Gx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Crucial | 詢價 |
| 零件號 M391B1G73BH0-CK0 | 密度 8GB | 組織 512Mx8 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M393B1K70DH0-YK0 | 密度 8GB | 組織 512Mx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 MT36KSF2G72PZ-1G6E1 | 密度 16GB | 組織 1Gx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Micron | 詢價 |
| 零件號 M393B2G70DB0-YK0 | 密度 16GB | 組織 1Gx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 HMT42GR7AFR4A-PB | 密度 16GB | 組織 1Gx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT42GR7MFR4A-PB | 密度 16GB | 組織 1Gx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT42GR7BFR4A-PB | 密度 16GB | 組織 1Gx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 HMT82GV7AMR4A-PBT4 | 密度 16GB | 組織 2Gx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 M393B2G70BH0-YK0 | 密度 16GB | 組織 1Gx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 HMT84GR7DMR4A-PBD3 | 密度 32GB | 組織 2Gx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 M393B1G73BH0-YK0 | 密度 8GB | 組織 512Mx8 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M393B1G70BH0-YK0 | 密度 8GB | 組織 512Mx8 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 HMT41GR7AFR8A-PBT8 | 密度 8GB | 組織 512Mx8 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 M393B1G73QH0-YK0 | 密度 8GB | 組織 512Mx8 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M393B1K70QB0-YK0 | 密度 8GB | 組織 512Mx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 M393B1K70QB0-CK0 | 密度 8GB | 組織 512Mx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 HMT41GV7BFR4A-PBT8 | 密度 8GB | 組織 1GMx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
| 零件號 M393B1G73EB0-YK0 | 密度 8GB | 組織 512Mx8 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Samsung | 詢價 |
| 零件號 HMT31GR7CFR4A-PB | 密度 8GB | 組織 512Mx4 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工廠 Hynix | 詢價 |
